Последнее обновление: 19.07.2024 13:04

Samsung улучшит технологии производства ИИ-чипов

Корпорация Samsung представила ряд предстоящих усовершенствований в технологиях производства, направленных на привлечение создателей ИИ-чипов.

Компания предлагает улучшенный процесс разработки процессоров с использованием технологии обратной подачи питания, согласно которой шины размещаются на другой стороне кремниевой пластины. По словам представителей фирмы, такой подход повышает мощность и производительность, снижая при этом падение напряжения по сравнению с 2-нм техпроцессом первого поколения.

За счет нововведений южнокорейская фирма планирует увеличить количество заказов на производство полупроводников для ИИ-чипов.

Samsung также рассказала о своей ключевой для ИИ-продуктов технологии окружения каналов с четырех сторон Gate-all-around (GAA). Процесс позволяет лучше контролировать переключение транзистора. Корпорация планирует начать массовое производство по 3-нм техпроцессу второго поколения во второй половине 2024 года и внедрить GAA в предстоящий 2-нм техпроцесс.

Компания подтвердила работу над 1,4-нм микросхемами. Их сборку запустят в 2027 году.

По данным Bloomberg, Samsung объединит два североамериканских исследовательских центра по искусственному интеллекту и наймет бывшего руководителя Apple для управления новым предприятием.

Согласно источникам, компания создает новое объединенное подразделение North America AI Center для улучшения работы и повышения эффективности работы команд. В него войдут сотрудники из Торонто (Канада) и Калифорнии (США), а возглавит подразделение Мурат Акбачак, отвечавший в Apple за развитие Siri, утверждает издание.

Ранее Samsung запретила сотрудниками использовать инструменты генеративного ИИ вроде ChatGPT из-за опасений утечек секретных данных.



<Май 2024
ПнВтСрЧтПтСбВс
293012345
6789101112
13141516171819
20212223242526
272829303112
3456789
Июнь 2024>
ПнВтСрЧтПтСбВс
272829303112
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
1234567
Экономика